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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。


使用同一个定子，当一相RM绕组通电时，其交链的磁通相当于hb的三相绕组的磁通。当三相RM型步进电机的转子由外部转矩驱动时，其相绕组的感应电压的波形如下图所示，RM型的电压波形接近正弦波，从而推出磁通的波形也是正弦波；相对的HB型电压波形与RM型比较略有畸变。其次，从RM型步进电机细分驱动效果看，下图为RM型步进电机进行步距角细分（10倍）与HB型步进电机的角度精度的比较，RM型步进电机经过细分控制的角度线性精度好于HB型步进电机。