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炉筒升降支撑采用双立柱设计上筒和上盖可以上升并向两边转动上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。自主产权的控制软件采用视窗，作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具了工艺实时的。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体，后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。
也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中，要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度V向上(下)运动，而且当提拉负载增大引起线速度为零时，提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。对晶体的提拉速度有十分严格的要求，从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。对提拉控制系统提出的主要技术指标是，提拉速度在0.2～10.0mm/h范围之内实现无级可调，线性精度大于±2%。生产集成电路所需要的单晶硅，是在硅结晶生长始时。分子泵，真空泵，真空流量计，plc编程，控制屏，离子泵，涡轮分子泵，螺杆真空泵，涡旋高真空泵，